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TK20G60WRVQTR-ND

型号 :
TK20G60W,RVQ
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 超级结
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1680pF @ 300V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 48nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 155 毫欧 @ 10A,10V
供应商器件封装 D2PAK
功率 - 最大值 165W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta)
系列 -
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