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DMN2600UFB-7DITR-ND

型号 :
DMN2600UFB-7
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 70.13pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 0.85nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 350 毫欧 @ 200mA,4.5V
供应商器件封装 3-DFN1006(1.0x0.6)
功率 - 最大值 540mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 3-UFDFN
漏源极电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta)
系列 -
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