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296-40001-6-ND

型号 :
CSD23203W
制造商 :
Texas Instruments
简介 :
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
PDF :
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库存 :
1613 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 914pF @ 4V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 6.3nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 19.4 毫欧 @ 1.5A,4.5V
供应商器件封装 6-DSBGA
功率 - 最大值 750mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-UFBGA,DSBGA
漏源极电压(Vdss) 8V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Ta)
系列 NexFET™
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