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296-40004-2-ND
- 型号 :
- CSD25213W10
- 制造商 :
- Texas Instruments
- 简介 :
- MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
- PDF :
- 库存 :
- 9000
- 单价 :
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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 478pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 2.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 47 毫欧 @ 1A、 4.5V |
| 供应商器件封装 | 4-DSBGA（1x1） |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-UFBGA，DSBGA |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 1.6A（Ta） |
| 系列 | NexFET™ |
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