服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> CSD25213W10

296-40004-2-ND

型号 :
CSD25213W10
制造商 :
Texas Instruments
简介 :
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
PDF :
PDF
库存 :
9000 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 478pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 2.9nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 47 毫欧 @ 1A、 4.5V
供应商器件封装 4-DSBGA(1x1)
功率 - 最大值 1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 4-UFBGA,DSBGA
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta)
系列 NexFET™
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]