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FDFM2N111DKR-ND

型号 :
FDFM2N111
制造商 :
Fairchild Semiconductor
简介 :
MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
PDF :
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库存 :
2997 
单价 :
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FET 功能 二极管(隔离式)
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 273pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 3.8nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 4A,4.5V
供应商器件封装 MicroFET 3x3mm
功率 - 最大值 800mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-MLP,Power33
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Ta)
系列 PowerTrench®
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