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NTLJS2103PTBGOSDKR-ND

型号 :
NTLJS2103PTBG
制造商 :
ON Semiconductor
简介 :
MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平栅极,1.2V 驱动
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1157pF @ 6V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 15nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 40 毫欧 @ 3A,4.5V
供应商器件封装 6-WDFN(2x2)
功率 - 最大值 700mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
漏源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.5A(Ta)
系列 µCool™
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