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BSZ165N04NSGINCT-ND

型号 :
BSZ165N04NS G
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
PDF :
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库存 :
1763 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 840pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 10nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 16.5 毫欧 @ 20A,10V
供应商器件封装 PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
功率 - 最大值 25W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.9A(Ta),31A(Tc)
系列 OptiMOS™
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