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TK6A80ES4X-ND

型号 :
TK6A80E,S4X
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N-CH 800V TO220SIS
PDF :
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库存 :
90 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 600µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1350pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 32nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.7 欧姆 @ 3A,10V
供应商器件封装 TO-220SIS
功率 - 最大值 45W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
漏源极电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta)
系列 -
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