SSM6P16FE(TE85L,F) - 上海强芯电子技术有限公司

网站首页 > 产品> SSM6P16FE(TE85L,F)

图片仅供参考
请以实物为准

SSM6P16FE(TE85LF)DKR-ND

型号 :: SSM6P16FE(TE85L,F)

制造商 :: Toshiba Semiconductor and Storage

简介 :: MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6

PDF :: PDF

库存 :: 800

单价 :: 注册会员查看价格

热门产品

浏览历史

SSM6P16FE(TE85L,F)

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	11pF @ 3V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	8 欧姆 @ 10mA，4V
供应商器件封装	ES6
功率 - 最大值	150mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SOT-563，SOT-666
漏源极电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100mA（Ta）
系列	-

产品评论

没有评论

购物指南

支付/配送

售后服务

关于我们