服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> SIA817EDJ-T1-GE3

SIA817EDJ-T1-GE3DKR-ND

型号 :
SIA817EDJ-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道、 肖特基,金属氧化物!
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 600pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 23nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 3A,10V
供应商器件封装 PowerPAK® SC-70-6 双
功率 - 最大值 6.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6 双
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc)
系列 LITTLE FOOT®
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]