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网站首页 > 产品> SCT20N120

497-15170-ND

型号 :
SCT20N120
制造商 :
STMicroelectronics
简介 :
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 SiCFET N 通道,碳化硅
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 650pF @ 400V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 45nC @ 20V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 290 毫欧 @ 10A,20V
供应商器件封装 HiP247™
功率 - 最大值 175W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
漏源极电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc)
系列 -
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