GP1M018A020HG - 上海强芯电子技术有限公司

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1560-1189-1-ND

型号 :: GP1M018A020HG

制造商 :: Global Power Technologies Group

简介 :: MOSFET N-CH 200V 18A TO220

PDF :: PDF

库存 :: 800

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GP1M018A020HG

FET 功能	标准
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	950pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	18nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	170 毫欧 @ 9A， 10V
供应商器件封装	TO-220
功率 - 最大值	94W
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
漏源极电压（Vdss）	200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	18A（Tc）
系列	-

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