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SSM6N15AFELMTR-ND

型号 :
SSM6N15AFE,LM
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N-CH 30V 0.1A ES6
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 13.5pF @ 3V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.6 欧姆 @ 10mA,4V
供应商器件封装 ES6
功率 - 最大值 150mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta)
系列 -
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