SSM3J112TU(TE85L) - 上海强芯电子技术有限公司

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SSM3J112TU(TE85L)-ND

型号 :: SSM3J112TU(TE85L)

制造商 :: Toshiba Semiconductor and Storage

简介 :: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM

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库存 :: 800

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SSM3J112TU(TE85L)

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.8V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	86pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	390 毫欧 @ 500mA，10V
供应商器件封装	UFM
功率 - 最大值	500mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	3-SMD，扁平引线
漏源极电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.1A（Ta）
系列	-

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