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GP2M002A065HG-ND
- 型号 :
- GP2M002A065HG
- 简介 :
- MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
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| FET 功能 | 标准 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 353pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 8.5nC @ 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 4.6 欧姆 @ 900mA， 10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率 - 最大值 | 52W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 漏源极电压（Vdss） | 650V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 1.8A（Tc） |
| 系列 | - |
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