TPC8012-H(TE12L,Q) - 上海强芯电子技术有限公司

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TPC8012-HQDKR-ND

型号 :: TPC8012-H(TE12L,Q)

制造商 :: Toshiba Semiconductor and Storage

简介 :: MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

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库存 :: 800

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TPC8012-H(TE12L,Q)

FET 功能	标准
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	440pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	11nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	400 毫欧 @ 900mA，10V
供应商器件封装	8-SOP（5.5x6.0）
功率 - 最大值	-
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
漏源极电压（Vdss）	200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.8A（Ta）
系列	-

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