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GP2M008A060PG-ND

型号 :
GP2M008A060PG
制造商 :
Global Power Technologies Group
简介 :
MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1063pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 23nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V
供应商器件封装 I-Pak
功率 - 最大值 120W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.5A(Tc)
系列 -
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