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DMG4N65CTIDI-ND

型号 :
DMG4N65CTI
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
PDF :
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库存 :
57 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 900pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 13.5nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 2A,10V
供应商器件封装 ITO-220AB
功率 - 最大值 8.35W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片
漏源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc)
系列 -
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