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296-41958-2-ND

型号 :
CSD18531Q5AT
制造商 :
Texas Instruments
简介 :
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
PDF :
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库存 :
2500 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 3840pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 43nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.6 毫欧 @ 22A,10V
供应商器件封装 8-VSONP(3x3.15)
功率 - 最大值 3.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Ta)
系列 NexFET™
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