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2SK3399(Q)-ND

型号 :
2SK3399(Q)
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FL
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1750pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 35nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 750 毫欧 @ 5A,10V
供应商器件封装 TO-220FL
功率 - 最大值 100W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3(SMT)标片
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta)
系列 -
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