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DMN62D1LFD-13-ND

型号 :
DMN62D1LFD-13
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 36pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 0.55nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2 欧姆 @ 100mA,4V
供应商器件封装 3-X1DFN1212
功率 - 最大值 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 3-UDFN
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta)
系列 -
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