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SI1489EDH-T1-GE3-ND

型号 :
SI1489EDH-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 16nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 48 毫欧 @ 3A,4.5V
供应商器件封装 SOT-363
功率 - 最大值 2.8W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
漏源极电压(Vdss) 8V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc)
系列 TrenchFET®
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