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SI2329DS-T1-GE3-ND
- 型号 :
- SI2329DS-T1-GE3
- 制造商 :
- Vishay Siliconix
- 简介 :
- MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
- PDF :
- 库存 :
- 800
- 单价 :
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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 1485pF @ 4V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 29nC @ 4.5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 30 毫欧 @ 5.3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏源极电压（Vdss） | 8V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 6A（Tc） |
| 系列 | TrenchFET® |
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