服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> RJK6002DPD-00#J2

RJK6002DPD-00#J2-ND

型号 :
RJK6002DPD-00#J2
制造商 :
Renesas Electronics America
简介 :
MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 165pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 6.2nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6.8 欧姆 @ 1A,10V
供应商器件封装 MP-3A
功率 - 最大值 30W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta)
系列 -
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]