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FDD4N60NZDKR-ND

型号 :
FDD4N60NZ
制造商 :
Fairchild Semiconductor
简介 :
MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 510pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 10.8nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.5 欧姆 @ 1.7A,10V
供应商器件封装 D-Pak
功率 - 最大值 114W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.4A(Tc)
系列 UniFET-II™
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