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SI7882DP-T1-GE3CT-ND

型号 :
SI7882DP-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 30nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 17A,4.5V
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
功率 - 最大值 1.9W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
漏源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta)
系列 TrenchFET®
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