服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> TPS1100DG4

TPS1100DG4-ND

型号 :
TPS1100DG4
制造商 :
Texas Instruments
简介 :
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
PDF :
PDF
库存 :
8100 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 5.45nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 1.5A,10V
供应商器件封装 8-SOIC
功率 - 最大值 791mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压(Vdss) 15V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta)
系列 -
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]