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1242-1189-ND

型号 :
GA20JT12-263
制造商 :
GeneSiC Semiconductor
简介 :
TRANS SJT 1.2KV 20A
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 超级结
FET 类型 碳化硅,常闭
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 3091pF @ 800V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 20A
供应商器件封装 -
功率 - 最大值 282W
安装类型 -
封装/外壳 -
漏源极电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 45A(Tc)
系列 -
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