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2N6661-E3-ND

型号 :
2N6661-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET N-CH 90V 860MA TO-205
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 50pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4 欧姆 @ 1A,10V
供应商器件封装 TO-39
功率 - 最大值 725mW
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-205AD,TO-39-3 金属罐
漏源极电压(Vdss) 90V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 860mA(Tc)
系列 -
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