ECH8601M-TL-H - 上海强芯电子技术有限公司

网站首页 > 产品> ECH8601M-TL-H

图片仅供参考
请以实物为准

ECH8601M-TL-HOSTR-ND

型号 :: ECH8601M-TL-H

制造商 :: ON Semiconductor

简介 :: MOSFET N-CH 24V 8A ECH8

PDF :: PDF

库存 :: 800

单价 :: 注册会员查看价格

热门产品

浏览历史

ECH8601M-TL-H

FET 功能	逻辑电平栅极，2.5V 驱动
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	7.5nC @ 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	23 毫欧 @ 4A，4.5V
供应商器件封装	8-ECH
功率 - 最大值	1.6W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SMD，扁平引线
漏源极电压（Vdss）	24V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	8A（Ta）
系列	-

产品评论

没有评论

购物指南

支付/配送

售后服务

关于我们