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SPD04P10P G-ND

型号 :
SPD04P10P G
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 380µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 319pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 12nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 2.8A,10V
供应商器件封装 PG-TO252-3
功率 - 最大值 38W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc)
系列 SIPMOS®
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