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2SJ661-1E-ND
- 型号 :
- 2SJ661-1E
- 制造商 :
- ON Semiconductor
- 简介 :
- MOSFET P-CH 60V 38A
- PDF :
- 库存 :
- 1250
- 单价 :
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| FET 功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 4360pF @ 20V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 80nC @ 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 39 毫欧 @ 19A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262-3 |
| 功率 - 最大值 | 1.65W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 38A（Ta） |
| 系列 | - |
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