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IPB042N10N3 G E8187DKR-ND

型号 :
IPB042N10N3 G E8187
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 8410pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 117nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.2 毫欧 @ 50A,10V
供应商器件封装 PG-TO263-3
功率 - 最大值 214W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)
系列 OptiMOS™
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