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| FET 功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 2300pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 24nC @ 4.5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 14 毫欧 @ 12A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 功率 - 最大值 | 3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 11.5A（Ta） |
| 系列 | - |
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