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TPC6109-H(TE85LFMDKR-ND

型号 :
TPC6109-H(TE85L,FM
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET P-CH 30V 5A VS-6
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 200µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 490pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 12.3nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 59 毫欧 @ 2.5A,10V
供应商器件封装 VS-6(2.9x2.8)
功率 - 最大值 -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta)
系列 -
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