RP1E100XNTR - 上海强芯电子技术有限公司

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RP1E100XNTR-ND

型号 :: RP1E100XNTR

制造商 :: Rohm Semiconductor

简介 :: MOSFET N-CH 30V 10A MPT6

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库存 :: 800

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RP1E100XNTR

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	800pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	11nC @ 5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	13 毫欧 @ 10A，10V
供应商器件封装	MPT6
功率 - 最大值	2W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-SMD，扁平引线
漏源极电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	10A（Ta）
系列	-

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