服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> IRF6810STR1PBF

IRF6810STR1PBFDKR-ND

型号 :
IRF6810STR1PBF
制造商 :
International Rectifier
简介 :
MOSFET N CH 25V 16A S1
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1038pF @ 13V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 11nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5.2 毫欧 @ 16A,10V
供应商器件封装 DIRECTFET S1
功率 - 最大值 2.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 DirectFET™ 等容 S1
漏源极电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Ta),50A(Tc)
系列 HEXFET®
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]