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FDM606P-ND
- 型号 :
- FDM606P
- 制造商 :
- Fairchild Semiconductor
- 简介 :
- MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
- PDF :
- 库存 :
- 800
- 单价 :
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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 2200pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 30nC @ 4.5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 30 毫欧 @ 6.8A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-MLP，MicroFET（3x2） |
| 功率 - 最大值 | 1.92W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-MLP，MicroFET™ |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 6.8A（Tc） |
| 系列 | PowerTrench® |
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