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FDB5690TR-ND

型号 :
FDB5690
制造商 :
Fairchild Semiconductor
简介 :
MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1120pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 33nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 27 毫欧 @ 16A,10V
供应商器件封装 TO-263AB
功率 - 最大值 58W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 32A(Tc)
系列 PowerTrench®
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