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DMN3112SDITR-ND

型号 :
DMN3112S-7
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 268pF @ 5V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 57 毫欧 @ 5.8A,10V
供应商器件封装 SOT-23-3
功率 - 最大值 1.4W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Ta)
系列 -
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