服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> SI2321DS-T1-E3

SI2321DS-T1-E3-ND

型号 :
SI2321DS-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 715pF @ 6V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 13nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 57 毫欧 @ 3.3A,4.5V
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值 710mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta)
系列 TrenchFET®
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]