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SI2331DS-T1-GE3-ND

型号 :
SI2331DS-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 780pF @ 6V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 14nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 48 毫欧 @ 3.6A,4.5V
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值 710mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta)
系列 TrenchFET®
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