服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> NTD80N02-1G

NTD80N02-1GOS-ND

型号 :
NTD80N02-1G
制造商 :
ON Semiconductor
简介 :
MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2600pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 42nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5.8 毫欧 @ 80A,10V
供应商器件封装 I-Pak
功率 - 最大值 75W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
漏源极电压(Vdss) 24V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc)
系列 -
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]