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NTMSD3P102R2GOS-ND

型号 :
NTMSD3P102R2G
制造商 :
ON Semiconductor
简介 :
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 二极管(隔离式)
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 750pF @ 16V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 25nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 85 毫欧 @ 3.05A,10V
供应商器件封装 8-SOIC N
功率 - 最大值 730mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.34A(Ta)
系列 FETKY™
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