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BSP149 L6906-ND

型号 :
BSP149 L6906
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 耗尽模式
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 400µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 430pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 14nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.8 欧姆 @ 660mA,10V
供应商器件封装 PG-SOT223-4
功率 - 最大值 1.8W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
漏源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 660mA(Ta)
系列 SIPMOS®
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