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IPP10N03LBGIN-ND

型号 :
IPP10N03LB G
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1639pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 13nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9.9 毫欧 @ 50A,10V
供应商器件封装 PG-TO220-3
功率 - 最大值 58W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc)
系列 OptiMOS™
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