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BSP171PL6327INTR-ND

型号 :
BSP171P L6327
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 460µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 460pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 20nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 1.9A,10V
供应商器件封装 PG-SOT223-4
功率 - 最大值 1.8W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.9A(Ta)
系列 SIPMOS®
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