服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> IPB070N06L G

IPB070N06LGINCT-ND

型号 :
IPB070N06L G
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 4300pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 126nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6.7 毫欧 @ 80A,10V
供应商器件封装 PG-TO263-3
功率 - 最大值 214W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc)
系列 OptiMOS™
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]