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STI23NM60ND-ND

型号 :
STI23NM60ND
制造商 :
STMicroelectronics
简介 :
MOSFET N-CH 600V 19.5A I2PAK
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2050pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 70nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 10A,10V
供应商器件封装 I2PAK
功率 - 最大值 150W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19.5A(Tc)
系列 FDmesh™ II
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