NTTS2P03R2G - 上海强芯电子技术有限公司

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NTTS2P03R2GOSTR-ND

型号 :: NTTS2P03R2G

制造商 :: ON Semiconductor

简介 :: MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO

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库存 :: 800

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NTTS2P03R2G

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	500pF @ 24V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	22nC @ 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	85 毫欧 @ 2.48A，10V
供应商器件封装	Micro8™
功率 - 最大值	600mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
漏源极电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.1A（Ta）
系列	-

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